MOSFET Vishay SQ2301ES-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 2,2 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 177-7625
Referência do fabricante:: SQ2301ES-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SQ2301ES-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 2,2 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:: 177-7625
Referência do fabricante:: SQ2301ES-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Datasheet - SQ2301ES-T1-GE3

Atributo	Valor
Tipo de Canal	P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	2,2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	20 V
Serie	SQ Rugged
Tipo de Encapsulado	SOT-23
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	180 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	0.45V
Disipación de Potencia Máxima	3 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-8 V, +8 V
Longitud	3.04mm
Material del transistor	Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Número de Elementos por Chip	1
Carga Típica de Puerta @ Vgs	5 nC a 4,5 V
Ancho	1.4mm
Altura	1.02mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET Vishay SQ2301ES-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 2,2 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

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MOSFET de canal P, serie SQ resistente, Vishay Semiconductor