MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 600 V, ID 1.4 A, Mejora, IPAK de 3 pines

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Código RS:
812-0660
Referência do fabricante:
IRFU1N60APBF
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

1.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

IRFU

Encapsulado

IPAK

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

7Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Disipación de potencia máxima Pd

36W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

14nC

Tensión directa Vf

1.6V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

6.73mm

Altura

6.22mm

Anchura

2.39 mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
MY

MOSFET de canal N, de 600 V a 1000 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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