MOSFET de potencia, N-Canal Vishay IRFU1N60APBF, VDSS 600 V, ID 1.4 A, Mejora, IPAK de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Subtotal (1 embalagem de 10 unidades)*

13,25 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • Mais 470 unidade(s) para enviar a partir do dia 28 de setembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
10 +1,325 €13,25 €

*preço indicativo

Código RS:
812-0660
Referência do fabricante:
IRFU1N60APBF
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

1.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

IPAK

Serie

IRFU1N60A

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

7Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

14nC

Disipación de potencia máxima Pd

36W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.6V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-30, +30V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

6.22mm

Longitud

6.73mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Anchura

2.39mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
MY

MOSFET de potencia de la serie IRFU1N60A de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 600 V, corriente de drenaje continua de 1,4 A - IRFU1N60APBF


Este MOSFET de potencia es un transistor de conmutación de canal N de alta tensión diseñado para montaje de orificio pasante en electrónica industrial. Está diseñado para aplicaciones que requieren un manejo de alta tensión de drenaje y corriente continua moderada, funcionando en un amplio rango de temperaturas para entornos exigentes. El dispositivo cumple la directiva RoHS y se suministra en un encapsulado IPak con orificios pasantes.

Características y ventajas:


• Tensión drenador-fuente de 600 V para capacidad de conmutación de alta tensión
• Corriente de drenaje continua de 1.4 A que admite corrientes de carga moderadas
• Rds(on) máximo de 7 Ω que reduce las pérdidas por conducción a corrientes bajas
• Disipación de potencia de 36 W que permite un manejo sostenido de la carga térmica
• Carga de puerta típica de 14 nC que permite un comportamiento de accionamiento de puerta eficiente
• Resistencia de fuente de puerta de hasta 30 V para un margen de tensión de control robusto

Aplicaciones


• Apto para fuentes de alimentación fuera de línea que requieren interruptores de alta tensión
• Se utiliza para circuitos de control de lámparas y balasto de iluminación
• Ideal para la etapa de puerta de accionamiento por motor en sistemas de baja potencia
• Se puede utilizar para funciones de interruptor de pinza o amortiguador en convertidores
• Se utiliza con extremos delanteros de sensor y medición que requieren Vds altos

¿Qué extremos térmicos puede tolerar el dispositivo en funcionamiento?


Funciona desde -55 °C hasta 150 °C, lo que permite su uso en conjuntos industriales y de alta temperatura.

¿Cómo se monta el transistor en la placa?


Está diseñado para montaje en orificio pasante en un encapsulado IPak para una retención mecánica segura.

¿Cuál es la tensión directa típica en escenarios de conducción?


El dispositivo presenta una tensión directa de 1,6 V en las condiciones de prueba especificadas para la conducción de diodo de cuerpo.

¿Requiere la puerta consideraciones de accionamiento especiales debido a la carga?


Con una carga de puerta típica de 14 nC, los controladores de puerta deben elegirse para proporcionar una corriente suficiente para la velocidad de conmutación prevista sin pérdidas excesivas de accionamiento.

Links relacionados

Mantenha-se a par das últimas novidades e ofertas

Introduza o seu endereço de email

A informação pessoal que nos proporcionar ao subscrever esta newsletter será processada de acordo com a nossa política de privacidade.