MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay SIS892ADN-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 28 A, Mejora, PowerPAK 1212-8 de 8 pines

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Código RS:
787-9399
Referência do fabricante:
SIS892ADN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

28A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

PowerPAK 1212-8

Serie

SiS892ADN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.033Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

0.8V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

6.1nC

Disipación de potencia máxima Pd

52W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Altura

1.12mm

Longitud

3.4mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N, de 100 V a 150 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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