MOSFET de potencia Vishay, Tipo N-Canal SISF02DN-T1-GE3, VDSS 25 V, ID 60 A, PowerPAK 1212, Mejora de 8 pines, 2,
- Código RS:
- 188-4999
- Referência do fabricante:
- SISF02DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
10,50 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
- Envio a partir do dia 18 de dezembro de 2026
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,10 € | 10,50 € |
| 50 - 120 | 1,788 € | 8,94 € |
| 125 - 245 | 1,466 € | 7,33 € |
| 250 - 495 | 1,222 € | 6,11 € |
| 500 + | 0,97 € | 4,85 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 188-4999
- Referência do fabricante:
- SISF02DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 60A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 25V | |
| Encapsulado | PowerPAK 1212 | |
| Serie | TrenchFET Gen IV | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 150°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 16 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 69.4W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 37nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | -55°C | |
| Configuración de transistor | Drenaje común | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 3.4mm | |
| Altura | 0.75mm | |
| Anchura | 3.4 mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 60A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 25V | ||
Encapsulado PowerPAK 1212 | ||
Serie TrenchFET Gen IV | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima 150°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 16 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 69.4W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 37nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima -55°C | ||
Configuración de transistor Drenaje común | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 3.4mm | ||
Altura 0.75mm | ||
Anchura 3.4 mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
Links relacionados
- MOSFET de potencia Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 25 V, ID 60 A, PowerPAK 1212, Mejora de 8 pines, 2, config. Drenaje común
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SiSS61DN-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 111.9 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SISS60DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 181.8 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SISHA10DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 30 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SISS27DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 23 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SISA10DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 30 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SISS50DN-T1-GE3, VDSS 45 V, ID 108 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIS126DN-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 45.1 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines