MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI7615ADN-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 35 A, Mejora, PowerPAK 1212-8 de 8 pines

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Opções de embalagem:
Código RS:
787-9248
Referência do fabricante:
SI7615ADN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

35A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Encapsulado

PowerPAK 1212-8

Serie

Si7615ADN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0044Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

52W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

59nC

Tensión directa Vf

-1.1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±12 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

Lead (Pb)-Free

Anchura

3.4 mm

Longitud

3.4mm

Altura

1.12mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal P, de 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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