MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 100 V, ID 28 A, Mejora, PowerPAK 1212-8 de 8 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Sem stock actualmente
Não sabemos se este item estará de novo em stock, a RS pretende retirá-lo em breve da sua gama.
Código RS:
165-6981
Referência do fabricante:
SIS892ADN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

28A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

SiS892ADN

Encapsulado

PowerPAK 1212-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.033Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

0.8V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

6.1nC

Disipación de potencia máxima Pd

52W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

3.4mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Altura

1.12mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N, de 100 V a 150 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


Links relacionados

Mantenha-se a par das últimas novidades e ofertas

Introduza o seu endereço de email

A informação pessoal que nos proporcionar ao subscrever esta newsletter será processada de acordo com a nossa política de privacidade.