MOSFET onsemi NTJD4158CT1G, VDSS 20 V, 30 V, ID 250 mA, 880 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

Código RS:: 163-1118
Referência do fabricante:: NTJD4158CT1G
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi NTJD4158CT1G, VDSS 20 V, 30 V, ID 250 mA, 880 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

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Código RS:: 163-1118
Referência do fabricante:: NTJD4158CT1G
Fabricante:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N, P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	250 mA, 880 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente	20 V, 30 V
Tipo de Encapsulado	SOT-363
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	2,5 Ω, 500 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	1.5V
Disipación de Potencia Máxima	270 mW
Configuración de transistor	Aislado
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, -12 V, +12 V, +20 V
Número de Elementos por Chip	2
Longitud	2.2mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs	0,9 nC a 5 V, 2,2 nC a 4,5 V
Material del transistor	Si
Ancho	1.35mm
Altura	1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET onsemi NTJD4158CT1G, VDSS 20 V, 30 V, ID 250 mA, 880 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

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MOSFET de canal N/P doble, ON Semiconductor