MOSFET onsemi, Tipo N, Tipo P-Canal, VDSS 30 V, ID 880 mA, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado
- Código RS:
- 163-1118
- Referência do fabricante:
- NTJD4158CT1G
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 163-1118
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N, Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 880mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | SC-88 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 500mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 0.9nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 270mW | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 150°C | |
| Tensión directa Vf | 0.65V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | -55°C | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Anchura | 1.35 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 2.2mm | |
| Altura | 1mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N, Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 880mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado SC-88 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 500mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 0.9nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 270mW | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima 150°C | ||
Tensión directa Vf 0.65V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima -55°C | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Anchura 1.35 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 2.2mm | ||
Altura 1mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET de canal N/P doble, ON Semiconductor
El NTJD1155L es un MOSFET de doble canal. Con los canales P y N en un solo paquete, este MOSFET es brillante para la señal de control baja, tensiones de batería bajas y corrientes de carga altas. El canal N ofrece protección ESD interna y puede ser impulsado por señales lógicas tan bajas como 1,5 V, mientras que el canal P está diseñado para ser utilizado en aplicaciones de conmutación de carga. El canal P también diseñado con la tecnología de trinchera ON semi.
Transistores MOSFET, ON Semiconductor
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