MOSFET onsemi, Tipo P-Canal, VDSS 60 V, ID 2.3 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- Código RS:
- 166-2654
- Referência do fabricante:
- NDS9948
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*
485,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Stock limitado
- 2500 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,194 € | 485,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 166-2654
- Referência do fabricante:
- NDS9948
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 500mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 9nC | |
| Tensión directa Vf | -0.8V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Anchura | 4 mm | |
| Altura | 1.5mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 5mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie PowerTrench | ||
Encapsulado SOIC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 500mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 9nC | ||
Tensión directa Vf -0.8V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Anchura 4 mm | ||
Altura 1.5mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 5mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal P doble PowerTrench®, Fairchild Semiconductor
Los MOSFET PowerTrench® son interruptores de alimentación optimizados que ofrecen un aumento de la eficacia del sistema y densidad de potencia. Combinan una carga de compuerta pequeña (QG), una carga de recuperación inversa pequeña (Qrr) y un diodo de cuerpo de recuperación inversa suave, lo que contribuye a una conmutación rápida de rectificación síncrona en fuentes de alimentación de ac/dc.
Los MOSFET PowerTrench®, emplean una estructura de compuerta protegida que proporciona equilibrio de carga. Al utilizar esta tecnología avanzada, el FOM (factor de mérito) de estos dispositivos es significativamente menor que los de la generación anterior.
El rendimiento del diodo de cuerpo suave de los MOSFET PowerTrench® es capaz de eliminar el circuito amortiguador o reemplazar un MOSFET de mayor tensión nominal.
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
Links relacionados
- MOSFET onsemi, Tipo P-Canal NDS9948, VDSS 60 V, ID 2.3 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET Infineon, Tipo P-Canal, VDSS 20 V, ID 2.3 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET Infineon, Tipo P-Canal IRF7104TRPBF, VDSS 20 V, ID 2.3 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET onsemi, Tipo P-Canal, VDSS 20 V, ID 2.3 A, SOT-23, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET onsemi, Tipo P-Canal FDC6312P, VDSS 20 V, ID 2.3 A, SOT-23, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET onsemi, Tipo P-Canal, VDSS 30 V, ID 7 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET onsemi, Tipo P-Canal, VDSS 30 V, ID 6.9 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET onsemi, Tipo P-Canal, VDSS 30 V, ID 6 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado