MOSFET Vishay, Tipo P, Tipo N-Canal SI4559ADY-T1-E3, VDSS 60 V, ID 5.3 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- Código RS:
- 180-8097
- Referência do fabricante:
- SI4559ADY-T1-E3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 180-8097
- Referência do fabricante:
- SI4559ADY-T1-E3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo P, Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 5.3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.58Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 6nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 3.4W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Anchura | 4 mm | |
| Certificaciones y estándares | IEC 61249-2-21 | |
| Longitud | 5mm | |
| Altura | 1.75mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo P, Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 5.3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie TrenchFET | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.58Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 3.4W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Anchura 4 mm | ||
Certificaciones y estándares IEC 61249-2-21 | ||
Longitud 5mm | ||
Altura 1.75mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET Vishay
El MOSFET de canal doble de montaje superficial Vishay (tanto canales P como N) es un producto de nueva era con una resistencia de fuente de drenaje de 58mohm mA a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Tiene una tensión de fuente de drenaje de 60V V. Tiene corrientes de drenaje continuo de 5,3A A y 3,9A A. Tiene una potencia nominal máxima de 3,4W W. Se ha optimizado para menores pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad. Es aplicable en inversores CCFL.
Características y ventajas
• Libre de halógenos
• Sin plomo (Pb)
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.
• MOSFET de potencia TrenchFET
Certificaciones
• ANSI/ESD S20,20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• Rg probado
• UIS probado
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