MOSFET onsemi, Tipo N-Canal FCU900N60Z, VDSS 600 V, ID 4.5 A, IPAK (TO-251), Mejora de 3 pines, 1, config. Simple

A imagem representada pode não ser a do produto

Ver tudo MOSFET

Subtotal (1 bolsa de 5 unidades)*

11,62 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
A ser descontinuado
  • Última(s) 295 unidade(s) diponível/disponíveis para envio a partir de outro centro de distribuição
Unidad(es)
Por unidade
Por Bolsa*
5 +2,324 €11,62 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
774-1124
Referência do fabricante:
FCU900N60Z
Fabricante:
onsemi
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

4.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

IPAK (TO-251)

Serie

SuperFET II

Número de pines

3

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Disipación de potencia máxima Pd

52W

Configuración de transistor

Simple

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

6.3mm

Longitud

6.8mm

Anchura

2.5 mm

Número de elementos por chip

1

MOSFET de canal N SuperFET® y SuperFET® II, Fairchild Semiconductor


Fairchild ha añadido la familia MOSFET SuperFET® II de potencia de alta tensión mediante la tecnología Super Junction Proporciona el mejor rendimiento de su clase del diodo del cuerpo sólido en fuentes de alimentación ac-dc de modo conmutado (SMPS), aplicaciones como servidores, telecomunicaciones, informática, fuente de alimentación industrial, UPS/ESS, inversor solar, aplicaciones de iluminación que requieren una densidad de alta potencia, eficacia del sistema y fiabilidad.

Mediante el uso de una tecnología de equilibrio de carga avanzada, los diseñadores han logrado soluciones de alto rendimiento más eficaces y rentables que ocupan menos espacio en la placa y mejoran la fiabilidad.

Transistores MOSFET, ON Semi


On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.

En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

Links relacionados