Transistor MOSFET Infineon IRFU3711ZPBF, VDSS 20 V, ID 93 A, IPAK de 3 pines, config. Simple
- Código RS:
- 688-7140
- Referência do fabricante:
- IRFU3711ZPBF
- Fabricante:
- Infineon
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*preço indicativo
- Código RS:
- 688-7140
- Referência do fabricante:
- IRFU3711ZPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
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Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de Canal | N | |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 93 A | |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 20 V | |
| Tipo de Encapsulado | IPAK | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 6 mΩ | |
| Modo de Canal | Mejora | |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 2.45V | |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 1.55V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 79000 mW | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V | |
| Longitud | 6.6mm | |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 18 nC a 4,5 V | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C | |
| Número de Elementos por Chip | 1 | |
| Ancho | 2.3mm | |
| Altura | 6.1mm | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de Canal N | ||
Corriente Máxima Continua de Drenaje 93 A | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 20 V | ||
Tipo de Encapsulado IPAK | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 6 mΩ | ||
Modo de Canal Mejora | ||
Tensión de umbral de puerta máxima 2.45V | ||
Tensión de umbral de puerta mínima 1.55V | ||
Disipación de Potencia Máxima 79000 mW | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Tensión Máxima Puerta-Fuente -20 V, +20 V | ||
Longitud 6.6mm | ||
Carga Típica de Puerta @ Vgs 18 nC a 4,5 V | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C | ||
Número de Elementos por Chip 1 | ||
Ancho 2.3mm | ||
Altura 6.1mm | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
- COO (País de Origem):
- MX
MOSFET de potencia de canal N, 12 V a 25 V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
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