Referência do fabricante

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 180 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

Código RS:: 688-7216
Número do artigo Distrelec:: 304-35-447
Referência do fabricante:: IRLB4030PBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 180 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 2 unidades)*

6,55 €

Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €

Em stock

Mais 28 unidade(s) para enviar a partir do dia 02 de março de 2026
Mais 144 unidade(s) para enviar a partir do dia 09 de março de 2026

Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".

Unidad(es)	Por unidade	Por Embalagem*
2 - 18	3,275 €	6,55 €
20 - 48	2,785 €	5,57 €
50 - 98	2,62 €	5,24 €
100 - 198	2,42 €	4,84 €
200 +	2,255 €	4,51 €

*preço indicativo

Código RS:: 688-7216
Número do artigo Distrelec:: 304-35-447
Referência do fabricante:: IRLB4030PBF
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.

Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	180A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	100V
	Encapsulado	TO-220
	Serie	HEXFET
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	4mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión directa Vf	1.3V
	Disipación de potencia máxima Pd	370W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	87nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	16 V
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	9.02mm
	Anchura	4.83 mm
	Longitud	10.67mm
	Estándar de automoción	No

	Selecionar tudo
	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 180A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V
	Encapsulado TO-220
	Serie HEXFET
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4mΩ
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión directa Vf 1.3V
	Disipación de potencia máxima Pd 370W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 87nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 16 V
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Certificaciones y estándares No
	Altura 9.02mm
	Anchura 4.83 mm
	Longitud 10.67mm
	Estándar de automoción No

Inicie sessão para fazer o download dos modelos CAD

MOSFET de rectificador síncrono ac-dc y control de motor, Infineon

MOSFET para control del motor

Infineon ofrece una cartera completa de dispositivos MOSFET de canal N y P resistentes para las aplicaciones de control de motor.

MOSFET de rectificador síncrono

Una cartera de dispositivos MOSFET de rectificación síncrona para fuentes de alimentación ac-dc admite la demanda de los clientes de una mayor densidad de potencia, menor tamaño, más portabilidad y sistemas más flexibles.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.