MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFB4110PBF, VDSS 100 V, ID 180 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
495-578
Referência do fabricante:
IRFB4110PBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

180A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

HEXFET

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

5mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.3V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

150nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

370W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

10.66mm

Altura

9.02mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 180 A, disipación de potencia máxima de 370 W - IRFB4110PBF


Este MOSFET es un transistor de potencia eficiente diseñado para aplicaciones de automatización, electrónica y electricidad. Su robusta construcción y sus precisas especificaciones ofrecen una solución versátil para aplicaciones en las que la eficacia y la fiabilidad son esenciales. Con un diseño de modo de mejora y una configuración de canal N, es adecuado para operaciones de conmutación de alta velocidad.

Características y ventajas


• La corriente de drenaje continua máxima de 180 A admite un alto rendimiento

• El rango de tensión de drenaje a fuente de 100 V permite una gran variedad de aplicaciones

• El bajo RDS(on) de 4,5mΩ reduce la pérdida de potencia y mejora la eficiencia

• La capacidad de disipación de potencia de hasta 370 W garantiza la estabilidad

• Las características térmicas mejoradas fomentan la fiabilidad en condiciones extremas

• La caracterización completa de la resistencia a la avalancha y la dinámica dv/dt favorece la durabilidad

Aplicaciones


• Rectificación síncrona de alta eficiencia para fuentes de alimentación

• Adecuado para sistemas de alimentación ininterrumpida

• Ideal para circuitos de conmutación de potencia de alta velocidad

• Aplicable en circuitos de conmutación dura y alta frecuencia

¿Cuál es el rango de temperatura de funcionamiento adecuado para un rendimiento óptimo?


Funciona eficazmente entre -55 °C y +175 °C, lo que garantiza su funcionalidad en diversos entornos.

¿Cómo minimiza el MOSFET la pérdida de energía en los circuitos?


El bajo RDS(on) de 4,5mΩ reduce significativamente las pérdidas por conducción, lo que permite un funcionamiento eficiente en electrónica de potencia.

¿Puede utilizarse en aplicaciones de alta frecuencia?


Sí, su diseño facilita la conmutación a alta velocidad, lo que la hace adecuada para aplicaciones que requieren transiciones rápidas de encendido a apagado.

¿Cuáles son los valores de resistencia térmica para un montaje correcto?


La resistencia térmica de la unión a la carcasa es de 0,402 °C/W, mientras que la resistencia de la carcasa al disipador es de 0,50 °C/W, lo que permite una disipación eficaz del calor.

¿Qué características de avalancha deben tenerse en cuenta durante el uso?


Admite valores nominales de energía de avalancha de un solo impulso, lo que proporciona protección contra picos de tensión transitorios y garantiza la fiabilidad en el diseño de circuitos.

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