MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFB4110PBF, VDSS 100 V, ID 180 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 495-578
- Referência do fabricante:
- IRFB4110PBF
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 unidade)*
2,65 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 41 unidade(s) pronta(s) para enviar
- Mais 220 unidade(s) preparada(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 + | 2,65 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 495-578
- Referência do fabricante:
- IRFB4110PBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 180A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 150nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 370W | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 4.82mm | |
| Altura | 9.02mm | |
| Longitud | 10.66mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 180A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 150nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 370W | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 4.82mm | ||
Altura 9.02mm | ||
Longitud 10.66mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 180 A, disipación de potencia máxima de 370 W - IRFB4110PBF
Este MOSFET es un transistor de potencia eficiente diseñado para aplicaciones de automatización, electrónica y electricidad. Su robusta construcción y sus precisas especificaciones ofrecen una solución versátil para aplicaciones en las que la eficacia y la fiabilidad son esenciales. Con un diseño de modo de mejora y una configuración de canal N, es adecuado para operaciones de conmutación de alta velocidad.
Características y ventajas
• La corriente de drenaje continua máxima de 180 A admite un alto rendimiento
• El rango de tensión de drenaje a fuente de 100 V permite una gran variedad de aplicaciones
• El bajo RDS(on) de 4,5mΩ reduce la pérdida de potencia y mejora la eficiencia
• La capacidad de disipación de potencia de hasta 370 W garantiza la estabilidad
• Las características térmicas mejoradas fomentan la fiabilidad en condiciones extremas
• La caracterización completa de la resistencia a la avalancha y la dinámica dv/dt favorece la durabilidad
Aplicaciones
• Rectificación síncrona de alta eficiencia para fuentes de alimentación
• Adecuado para sistemas de alimentación ininterrumpida
• Ideal para circuitos de conmutación de potencia de alta velocidad
• Aplicable en circuitos de conmutación dura y alta frecuencia
¿Cuál es el rango de temperatura de funcionamiento adecuado para un rendimiento óptimo?
Funciona eficazmente entre -55 °C y +175 °C, lo que garantiza su funcionalidad en diversos entornos.
¿Cómo minimiza el MOSFET la pérdida de energía en los circuitos?
El bajo RDS(on) de 4,5mΩ reduce significativamente las pérdidas por conducción, lo que permite un funcionamiento eficiente en electrónica de potencia.
¿Puede utilizarse en aplicaciones de alta frecuencia?
Sí, su diseño facilita la conmutación a alta velocidad, lo que la hace adecuada para aplicaciones que requieren transiciones rápidas de encendido a apagado.
¿Cuáles son los valores de resistencia térmica para un montaje correcto?
La resistencia térmica de la unión a la carcasa es de 0,402 °C/W, mientras que la resistencia de la carcasa al disipador es de 0,50 °C/W, lo que permite una disipación eficaz del calor.
¿Qué características de avalancha deben tenerse en cuenta durante el uso?
Admite valores nominales de energía de avalancha de un solo impulso, lo que proporciona protección contra picos de tensión transitorios y garantiza la fiabilidad en el diseño de circuitos.
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 180 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRLB4030PBF, VDSS 100 V, ID 180 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 75 V, ID 180 A, TO-220
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFB3207PBF, VDSS 75 V, ID 180 A, TO-220
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 180 A, Mejora, TO-263
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB180N10S403ATMA1, VDSS 100 V, ID 180 A, Mejora, TO-263
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 180 A, Mejora, HSOF de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IAUA180N04S5N012AUMA1, VDSS 40 V, ID 180 A, Mejora, HSOF de 5 pines