MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 180 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 124-8963
- Referência do fabricante:
- IRFB4110PBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 124-8963
- Referência do fabricante:
- IRFB4110PBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 180A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 370W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 150nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20V, +20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 9.02mm | |
| Longitud | 10.66mm | |
| Anchura | 4.82mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 180A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 370W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 150nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20V, +20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 9.02mm | ||
Longitud 10.66mm | ||
Anchura 4.82mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- MX
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 180 A, disipación de potencia máxima de 370 W - IRFB4110PBF
Este MOSFET es un transistor de potencia eficiente diseñado para aplicaciones de automatización, electrónica y electricidad. Su robusta construcción y sus precisas especificaciones ofrecen una solución versátil para aplicaciones en las que la eficacia y la fiabilidad son esenciales. Con un diseño de modo de mejora y una configuración de canal N, es adecuado para operaciones de conmutación de alta velocidad.
Características y ventajas
• La corriente de drenaje continua máxima de 180 A admite un alto rendimiento
• El rango de tensión de drenaje a fuente de 100 V permite una gran variedad de aplicaciones
• El bajo RDS(on) de 4,5mΩ reduce la pérdida de potencia y mejora la eficiencia
• La capacidad de disipación de potencia de hasta 370 W garantiza la estabilidad
• Las características térmicas mejoradas fomentan la fiabilidad en condiciones extremas
• La caracterización completa de la resistencia a la avalancha y la dinámica dv/dt favorece la durabilidad
Aplicaciones
• Rectificación síncrona de alta eficiencia para fuentes de alimentación
• Adecuado para sistemas de alimentación ininterrumpida
• Ideal para circuitos de conmutación de potencia de alta velocidad
• Aplicable en circuitos de conmutación dura y alta frecuencia
¿Cuál es el rango de temperatura de funcionamiento adecuado para un rendimiento óptimo?
Funciona eficazmente entre -55 °C y +175 °C, lo que garantiza su funcionalidad en diversos entornos.
¿Cómo minimiza el MOSFET la pérdida de energía en los circuitos?
El bajo RDS(on) de 4,5mΩ reduce significativamente las pérdidas por conducción, lo que permite un funcionamiento eficiente en electrónica de potencia.
¿Puede utilizarse en aplicaciones de alta frecuencia?
Sí, su diseño facilita la conmutación a alta velocidad, lo que la hace adecuada para aplicaciones que requieren transiciones rápidas de encendido a apagado.
¿Cuáles son los valores de resistencia térmica para un montaje correcto?
La resistencia térmica de la unión a la carcasa es de 0,402 °C/W, mientras que la resistencia de la carcasa al disipador es de 0,50 °C/W, lo que permite una disipación eficaz del calor.
¿Qué características de avalancha deben tenerse en cuenta durante el uso?
Admite valores nominales de energía de avalancha de un solo impulso, lo que proporciona protección contra picos de tensión transitorios y garantiza la fiabilidad en el diseño de circuitos.
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