MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 180 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

Código RS:: 124-8963
Referência do fabricante:: IRFB4110PBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 180 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:: 124-8963
Referência do fabricante:: IRFB4110PBF
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	180A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	100V
	Serie	HEXFET
	Encapsulado	TO-220
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	5mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión directa Vf	1.3V
	Disipación de potencia máxima Pd	370W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	150nC
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Anchura	4.82 mm
	Altura	9.02mm
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	10.66mm
	Estándar de automoción	No

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	Marca Infineon
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 180A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V
	Serie HEXFET
	Encapsulado TO-220
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión directa Vf 1.3V
	Disipación de potencia máxima Pd 370W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 150nC
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Anchura 4.82 mm
	Altura 9.02mm
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 10.66mm
	Estándar de automoción No

COO (País de Origem):: MX

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 180 A, disipación de potencia máxima de 370 W - IRFB4110PBF

Este MOSFET es un transistor de potencia eficiente diseñado para aplicaciones de automatización, electrónica y electricidad. Su robusta construcción y sus precisas especificaciones ofrecen una solución versátil para aplicaciones en las que la eficacia y la fiabilidad son esenciales. Con un diseño de modo de mejora y una configuración de canal N, es adecuado para operaciones de conmutación de alta velocidad.

Características y ventajas

• La corriente de drenaje continua máxima de 180 A admite un alto rendimiento

• El rango de tensión de drenaje a fuente de 100 V permite una gran variedad de aplicaciones

• El bajo RDS(on) de 4,5mΩ reduce la pérdida de potencia y mejora la eficiencia

• La capacidad de disipación de potencia de hasta 370 W garantiza la estabilidad

• Las características térmicas mejoradas fomentan la fiabilidad en condiciones extremas

• La caracterización completa de la resistencia a la avalancha y la dinámica dv/dt favorece la durabilidad

Aplicaciones

• Rectificación síncrona de alta eficiencia para fuentes de alimentación

• Adecuado para sistemas de alimentación ininterrumpida

• Ideal para circuitos de conmutación de potencia de alta velocidad

• Aplicable en circuitos de conmutación dura y alta frecuencia

¿Cuál es el rango de temperatura de funcionamiento adecuado para un rendimiento óptimo?

Funciona eficazmente entre -55 °C y +175 °C, lo que garantiza su funcionalidad en diversos entornos.

¿Cómo minimiza el MOSFET la pérdida de energía en los circuitos?

El bajo RDS(on) de 4,5mΩ reduce significativamente las pérdidas por conducción, lo que permite un funcionamiento eficiente en electrónica de potencia.

¿Puede utilizarse en aplicaciones de alta frecuencia?

Sí, su diseño facilita la conmutación a alta velocidad, lo que la hace adecuada para aplicaciones que requieren transiciones rápidas de encendido a apagado.

¿Cuáles son los valores de resistencia térmica para un montaje correcto?

La resistencia térmica de la unión a la carcasa es de 0,402 °C/W, mientras que la resistencia de la carcasa al disipador es de 0,50 °C/W, lo que permite una disipación eficaz del calor.

¿Qué características de avalancha deben tenerse en cuenta durante el uso?

Admite valores nominales de energía de avalancha de un solo impulso, lo que proporciona protección contra picos de tensión transitorios y garantiza la fiabilidad en el diseño de circuitos.