Referência do fabricante

MOSFET Infineon BSC080N03MSGATMA1, VDSS 30 V, ID 53 A, TDSON de 8 pines, , config. Simple

Código RS:: 754-5288
Referência do fabricante:: BSC080N03MSGATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon BSC080N03MSGATMA1, VDSS 30 V, ID 53 A, TDSON de 8 pines, , config. Simple

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Código RS:: 754-5288
Referência do fabricante:: BSC080N03MSGATMA1
Fabricante:: Infineon

Especificações

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Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de Canal	N
	Corriente Máxima Continua de Drenaje	53 A
	Tensión Máxima Drenador-Fuente	30 V
	Serie	OptiMOS 3
	Tipo de Encapsulado	TDSON
	Tipo de Montaje	Montaje superficial
	Conteo de Pines	8
	Resistencia Máxima Drenador-Fuente	10,2 mΩ
	Modo de Canal	Mejora
	Tensión de umbral de puerta máxima	2V
	Tensión de umbral de puerta mínima	1V
	Disipación de Potencia Máxima	35 W
	Configuración de transistor	Simple
	Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
	Número de Elementos por Chip	1
	Ancho	6.1mm
	Longitud	5.35mm
	Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
	Material del transistor	Si
	Carga Típica de Puerta @ Vgs	21 nC a 10 V
	Altura	1.1mm
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

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	Marca Infineon
	Tipo de Canal N
	Corriente Máxima Continua de Drenaje 53 A
	Tensión Máxima Drenador-Fuente 30 V
	Serie OptiMOS 3
	Tipo de Encapsulado TDSON
	Tipo de Montaje Montaje superficial
	Conteo de Pines 8
	Resistencia Máxima Drenador-Fuente 10,2 mΩ
	Modo de Canal Mejora
	Tensión de umbral de puerta máxima 2V
	Tensión de umbral de puerta mínima 1V
	Disipación de Potencia Máxima 35 W
	Configuración de transistor Simple
	Tensión Máxima Puerta-Fuente -20 V, +20 V
	Número de Elementos por Chip 1
	Ancho 6.1mm
	Longitud 5.35mm
	Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C
	Material del transistor Si
	Carga Típica de Puerta @ Vgs 21 nC a 10 V
	Altura 1.1mm
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C

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MOSFET Infineon BSC080N03MSGATMA1, VDSS 30 V, ID 53 A, TDSON de 8 pines, , config. Simple

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MOSFET de potencia OptiMOS™3 de Infineon, hasta 40 V

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