MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 25 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidade

Subtotal (2 unidades, em pack de 2)*

4,90 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • Mais 34 unidade(s) para enviar a partir do dia 28 de setembro de 2026
  • Mais 1310 unidade(s) para enviar a partir do dia 05 de outubro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".

Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
2 - 182,45 €4,90 €
20 - 482,11 €4,22 €
50 - 981,96 €3,92 €
100 - 1981,835 €3,67 €
200 +1,685 €3,37 €

*preço indicativo

Código RS:
688-6973
Referência do fabricante:
IRFB5620PBF
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

25A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Serie

HEXFET

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

73mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

25nC

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-20, +20V

Disipación de potencia máxima Pd

14W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

9.02mm

Longitud

10.67mm

Anchura

4.83mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

MOSFET de la serie HEXFET de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 200 V, corriente de drenaje continua máxima de 25 A - IRFB5620PBF


Este MOSFET es un interruptor de semiconductor de canal N de alta tensión diseñado para aplicaciones de potencia de orificio pasante. Funciona como un dispositivo de modo de mejora adecuado para tareas de conmutación y amplificación en entornos exigentes, y está alojado en un encapsulado TO-220 para un montaje sencillo y disipador térmico.

Características y ventajas:


• La tensión de drenaje de 200 V admite conmutación de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 25 A permite un manejo de carga robusto
• La Rds(on) de 73 mΩ reduce las pérdidas por conducción en circuitos de potencia
• La carga de puerta de 25 nC permite velocidades de conmutación controladas
• La disipación de potencia de 14 W permite una carga térmica moderada
• La tolerancia de puerta de hasta 20 V protege contra eventos de sobrecarga

Aplicaciones


• Apto para etapas de controlador de motor de alta tensión
• Ideal para fuentes de alimentación de modo conmutado en equipos industriales
• Se utiliza para conmutación de patas de inversor en conversión de potencia
• Se puede utilizar para etapas de salida de amplificador de audio
• Adecuado para conmutación de alimentación de uso general en placas de orificio pasante

¿Qué temperaturas extremas puede tolerar durante el funcionamiento?


Está especificado para funcionar de –55 a 175 °C, lo que permite su uso en amplios rangos térmicos.

¿Cómo afecta el encapsulado al montaje y a la gestión térmica?


El encapsulado pasante TO-220 simplifica la fijación a disipadores y placas de circuito impreso para una disipación térmica eficaz.

¿Qué límites de tensión de puerta deben observarse al accionarlo?


La tensión nominal máxima de puerta a fuente es de 20 V, por lo que los controladores de puerta deben permanecer dentro de este umbral.

¿Cómo influye su tipo de canal en el diseño del circuito?


Como dispositivo de modo de mejora de canal N, requiere una tensión de fuente de puerta positiva para conducir, que se adapta a topologías de interruptor de lado bajo y lado alto cuando se acciona de manera adecuada.

Links relacionados

Mantenha-se a par das últimas novidades e ofertas

Introduza o seu endereço de email

A informação pessoal que nos proporcionar ao subscrever esta newsletter será processada de acordo com a nossa política de privacidade.