Transistor MOSFET Infineon IPP110N20N3GXKSA1, VDSS 200 V, ID 88 A, TO-220 de 3 pines

Código RS:: 911-4899
Referência do fabricante:: IPP110N20N3GXKSA1
Fabricante:: Infineon

Transistor MOSFET Infineon IPP110N20N3GXKSA1, VDSS 200 V, ID 88 A, TO-220 de 3 pines

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Código RS:: 911-4899
Referência do fabricante:: IPP110N20N3GXKSA1
Fabricante:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	88 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	200 V
Serie	OptiMOS™ 3
Tipo de Encapsulado	TO-220
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	11 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	300 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip	1
Carga Típica de Puerta @ Vgs	65 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Longitud	10.36mm
Ancho	4.57mm
Altura	9.45mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

Transistor MOSFET Infineon IPP110N20N3GXKSA1, VDSS 200 V, ID 88 A, TO-220 de 3 pines

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MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™3, 100 V y superior