MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 9.3 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

Código RS:: 919-5025
Referência do fabricante:: IRF630NPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 9.3 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 tubo de 50 unidades)*

19,30 €

Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €

Em stock

Mais 250 unidade(s) para enviar a partir do dia 26 de janeiro de 2026
Mais 300 unidade(s) para enviar a partir do dia 02 de fevereiro de 2026

Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".

Unidad(es)	Por unidade	Por Tubo*
50 - 50	0,386 €	19,30 €
100 - 200	0,305 €	15,25 €
250 - 450	0,286 €	14,30 €
500 - 1200	0,267 €	13,35 €
1250 +	0,259 €	12,95 €

*preço indicativo

Código RS:: 919-5025
Referência do fabricante:: IRF630NPBF
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.

Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	9.3A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	200V
	Serie	HEXFET
	Encapsulado	TO-220
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	300mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd	82W
	Tensión directa Vf	1.3V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	35nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Anchura	4.69 mm
	Longitud	10.54mm
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	8.77mm
	Estándar de automoción	No

	Selecionar tudo
	Marca Infineon
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 9.3A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V
	Serie HEXFET
	Encapsulado TO-220
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 300mΩ
	Modo de canal Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd 82W
	Tensión directa Vf 1.3V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 35nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Anchura 4.69 mm
	Longitud 10.54mm
	Certificaciones y estándares No
	Altura 8.77mm
	Estándar de automoción No

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 9,3 A, disipación de potencia máxima de 82 W - IRF630NPBF

Este MOSFET de canal N está diseñado para una amplia gama de aplicaciones en los sectores de la automatización y la electrónica. Ofrece una capacidad de disipación de energía óptima y un rendimiento eficiente, cruciales para los sistemas de alto rendimiento. Con una tensión de drenaje-fuente máxima de 200 V y una corriente de drenaje continua de 9,3 A, garantiza un funcionamiento fiable en entornos electrónicos exigentes.

Características y ventajas

• Alta potencia para aplicaciones eléctricas extensivas

• El diseño eficiente reduce la resistencia térmica para una refrigeración eficaz

• Las velocidades de conmutación rápidas mejoran el rendimiento en sistemas dinámicos

• Los requisitos de accionamiento sencillos facilitan la integración del circuito

• Totalmente apto para avalanchas, lo que lo hace idóneo para condiciones adversas

Aplicaciones

• Se utiliza en fuentes de alimentación industriales para mantener una regulación estable de la tensión

• Empleado en sistemas de control de motores para una funcionalidad eficiente

• Ideal para convertidores CC-CC y circuitos de gestión de potencia

• Se utiliza en sistemas de calefacción, ventilación y aire acondicionado para controlar los motores de los compresores

• Apropiado para sistemas de energía renovable, mejora la eficiencia energética

¿Cuál es la máxima tensión puerta-fuente que se puede aplicar?

La tensión máxima de la fuente de puerta es de ±20 V, lo que garantiza la compatibilidad con diversos diseños de circuitos.

¿Cómo gestiona el dispositivo la disipación térmica durante el funcionamiento?

Tiene una capacidad de disipación de potencia de 82 W, lo que permite una gestión eficaz del calor mientras se utiliza.

¿Hay algún tipo de montaje específico recomendado para un rendimiento óptimo?

El MOSFET está diseñado para montaje pasante, lo que favorece una gestión térmica y una conectividad eléctrica fiables.

¿Qué tipo de aplicaciones se benefician de su capacidad de conmutación rápida?

Las aplicaciones que requieren un funcionamiento a alta velocidad, como las fuentes de alimentación conmutadas y los convertidores compactos, aprovechan sus rápidas velocidades de conmutación.