MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 9.3 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 919-5025
- Referência do fabricante:
- IRF630NPBF
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Adicione mais 100 para poupar 16,20 €
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 tubo de 50 unidades)*
38,65 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
- 150 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
- Mais 150 unidade(s) para enviar a partir do dia 18 de novembro de 2026
Unidad(es) | Por unidade | Por Tubo* | Poupança |
|---|---|---|---|
| 50 - 50 | 0,773 € | 38,65 € | - |
| 100 - 200 | 0,611 € | 30,55 € | 16,20 € |
| 250 - 450 | 0,572 € | 28,60 € | 50,25 € |
| 500 - 1200 | 0,533 € | 26,65 € | 120,00 € |
| 1250 + | 0,495 € | 24,75 € | 347,50 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 919-5025
- Referência do fabricante:
- IRF630NPBF
- Fabricante:
- Infineon
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 9.3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 300mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 82W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20V, +20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 35nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 4.69mm | |
| Longitud | 10.54mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 8.77mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 9.3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 300mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 82W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20V, +20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 35nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 4.69mm | ||
Longitud 10.54mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 8.77mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 9,3 A, disipación de potencia máxima de 82 W - IRF630NPBF
Características y ventajas
Aplicaciones
¿Cuál es la máxima tensión puerta-fuente que se puede aplicar?
¿Cómo gestiona el dispositivo la disipación térmica durante el funcionamiento?
¿Hay algún tipo de montaje específico recomendado para un rendimiento óptimo?
¿Qué tipo de aplicaciones se benefician de su capacidad de conmutación rápida?
Las aplicaciones que requieren un funcionamiento a alta velocidad, como las fuentes de alimentación conmutadas y los convertidores compactos, aprovechan sus rápidas velocidades de conmutación.
Links relacionados
- MOSFET, N-Canal Infineon IRF630NPBF, VDSS 200 V, ID 9.3 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 250 V, ID 9.3 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon AUIRFR4292TRL, VDSS 250 V, ID 9.3 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 35 A, Mejora, TO-220
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 95 A, Mejora, TO-220
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 120 A, Mejora, TO-220
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 250 V, ID 46 A, Mejora, TO-220
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 76 A, Mejora, TO-220
