MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 26 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Subtotal (1 tubo de 2000 unidades)*

3 696,00 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio a partir do dia 28 de maio de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Tubo*
2000 +1,848 €3 696,00 €

*preço indicativo

Código RS:
262-6756
Referência do fabricante:
IRFI4227PBF
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

26A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Serie

HEXFET

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.036Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.3V

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia Infineon está diseñado específicamente para aplicaciones de conmutación de paso y recuperación de energía sostenida en paneles de display de plasma. Este MOSFET utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una baja resistencia de conexión por área de silicio y un bajo valor nominal de EPULSE.

Temperatura de conexión de funcionamiento de 150 grados centígrados

Alta capacidad de corriente de pico repetitiva

Links relacionados

Recently viewed