MOSFET onsemi, Tipo N-Canal FQU13N10LTU, VDSS 100 V, ID 10 A, IPAK, Mejora de 3 pines

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Código RS:
671-5348
Referência do fabricante:
FQU13N10LTU
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

10A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

IPAK

Serie

QFET

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

180mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.5V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Disipación de potencia máxima Pd

2.5W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

8.7nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

6.6mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

2.3 mm

Altura

6.1mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N QFET®, 6 A a 10,9 A, Fairchild Semiconductor


Los nuevos MOSFET planares QFET® de FairField Semiconductor utilizan tecnología avanzada y propietaria para ofrecer el mejor rendimiento de funcionamiento de su clase para una amplia gama de aplicaciones, incluidas fuentes de alimentación, PFC (corrección de factor de potencia), convertidores dc-dc, paneles de display de plasma (PDP), balastos de iluminación y control de movimiento.

Ofrecen una pérdida de estado encendido reducida mediante la reducción de la resistencia de encendido (RDS(on)), y una pérdida de conmutación reducida mediante la reducción de la carga de puerta (Qg) y la capacitancia de salida (Coss). Al utilizar la tecnología de proceso QFET® avanzada, Fairchild puede ofrecer una cifra de mérito (FOM) mejorada con respecto a los dispositivos MOSFET Planar de la competencia.

Transistores MOSFET, ON Semi


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Los transistores MOSFET semi-ON proporcionan una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión y sobretensión reducidos, hasta una capacidad de unión y una carga de recuperación inversa más bajas, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas activos y funcionando durante más tiempo.

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