MOSFET onsemi, Tipo N, Tipo P-Canal FDD8424H, VDSS 40 V, ID 9 A, TO-252, Mejora de 5 pines, 2, config. Drenaje común
- Código RS:
- 671-0356
- Referência do fabricante:
- FDD8424H
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 671-0356
- Referência do fabricante:
- FDD8424H
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N, Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | PowerTrench | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 54mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20, -20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 3.1W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Drenaje común | |
| Anchura | 6.22mm | |
| Altura | 2.39mm | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N, Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie PowerTrench | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 54mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20, -20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 3.1W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Drenaje común | ||
Anchura 6.22mm | ||
Altura 2.39mm | ||
Longitud 6.73mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
MOSFET de canal N/P doble PowerTrench®, Fairchild Semiconductor
Los MOSFET PowerTrench® son interruptores de potencia optimizados que ofrecen un aumento de la eficiencia del sistema y la densidad de potencia. Combinan una carga de puerta pequeña (Qg), una carga de recuperación inversa pequeña (Qrr) y un diodo de cuerpo de recuperación inversa suave, lo que contribuye a una conmutación rápida de la rectificación síncrona en fuentes de alimentación ac/dc.
Los últimos MOSFET PowerTrench® emplean una estructura de puerta apantallada que proporciona equilibrio de carga. Al utilizar esta tecnología avanzada, la FOM (Figure of Merit) de estos dispositivos es significativamente más baja que la de la generación anterior.
El rendimiento de diodo de cuerpo suave de los MOSFET PowerTrench® es capaz de eliminar el circuito inestable o reemplazar un MOSFET de tensión nominal superior.
Transistores MOSFET, ON Semi
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Los transistores MOSFET semi-ON proporcionan una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión y sobretensión reducidos, hasta una capacidad de unión y una carga de recuperación inversa más bajas, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas activos y funcionando durante más tiempo.
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