MOSFET onsemi, Tipo N, Tipo P-Canal FDD8424H, VDSS 40 V, ID 9 A, TO-252, Mejora de 5 pines, 2, config. Drenaje común
- Código RS:
- 124-1698
- Referência do fabricante:
- FDD8424H
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 124-1698
- Referência do fabricante:
- FDD8424H
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N, Tipo P | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) | 40 V | |
| Corriente continua máxima de drenaje (ld) | 9 A | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Número de pines | 5 | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Configuración de transistor | Drenaje común | |
| Altura | 2.39 mm | |
| Longitud | 6.73 mm | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) | 54 mΩ | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V, -20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150 °C | |
| Disipación de potencia máxima (Pd) | 3.1 W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Serie | PowerTrench | |
| Anchura | 6.22 mm | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N, Tipo P | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 40 V | ||
Corriente continua máxima de drenaje (ld) 9 A | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Número de pines 5 | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Configuración de transistor Drenaje común | ||
Altura 2.39 mm | ||
Longitud 6.73 mm | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) 54 mΩ | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V, -20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150 °C | ||
Disipación de potencia máxima (Pd) 3.1 W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Serie PowerTrench | ||
Anchura 6.22 mm | ||
PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this Advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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