MOSFET Vishay, Tipo P, Tipo N-Canal, VDSS 200 V, ID 30 A, Trío, Mejora de 10 pines, 3, config. Drenaje común
- Código RS:
- 188-4925
- Referência do fabricante:
- SQUN702E-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 188-4925
- Referência do fabricante:
- SQUN702E-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo P, Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 30A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Encapsulado | Trío | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 10 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 60W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 0.79V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 175°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 23nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | -55°C | |
| Configuración de transistor | Drenaje común | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Número de elementos por chip | 3 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo P, Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 30A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Encapsulado Trío | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 10 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 60W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 0.79V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima 175°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 23nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima -55°C | ||
Configuración de transistor Drenaje común | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Número de elementos por chip 3 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Par de MOSFET de 40 V N y P-Channel Automotor y MOSFET de 200 V N-Channel.
Paquete triple dado optimizado
MOSFET de potencia TrenchFET®
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