MOSFET Vishay, Tipo P, Tipo N-Canal SQUN702E-T1_GE3, VDSS 200 V, ID 30 A, Trío, Mejora de 10 pines, 3, config. Drenaje
- Código RS:
- 188-4925
- Referência do fabricante:
- SQUN702E-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 188-4925
- Referência do fabricante:
- SQUN702E-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo P, Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 30A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Encapsulado | Trío | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 10 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 23nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 60W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 0.79V | |
| Configuración de transistor | Drenaje común | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | +175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Número de elementos por chip | 3 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo P, Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 30A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Encapsulado Trío | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 10 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 23nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 60W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 0.79V | ||
Configuración de transistor Drenaje común | ||
Temperatura de funcionamiento máxima +175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Número de elementos por chip 3 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de la serie TrenchFET de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 200 V, corriente de drenaje continua de 30 A - SQUN702E-T1_GE3
Este MOSFET es un dispositivo de transistor de montaje en superficie diseñado para la conmutación de potencia en entornos exigentes. Emplea una topología de matriz triple en una configuración de drenaje común para manejar tensiones y corrientes elevadas al tiempo que admite modos de mejora de canal P y N para una integración de circuito flexible.
Características y ventajas:
• El valor nominal de drenaje de 200 V permite una capacidad de conmutación de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 30 A admite la manipulación de cargas pesadas
• La disipación de 60 W permite un suministro de potencia sostenido
• La tolerancia de puerta de 20 V permite un margen de accionamiento de puerta robusto
• La carga de puerta típica de 23 nC proporciona una energía de conmutación predecible
• El funcionamiento máximo de +175 °C se adapta a los casos de uso de alta temperatura
• La corriente de drenaje continua de 30 A admite la manipulación de cargas pesadas
• La disipación de 60 W permite un suministro de potencia sostenido
• La tolerancia de puerta de 20 V permite un margen de accionamiento de puerta robusto
• La carga de puerta típica de 23 nC proporciona una energía de conmutación predecible
• El funcionamiento máximo de +175 °C se adapta a los casos de uso de alta temperatura
Aplicaciones
• Apto para módulos de distribución de potencia de automoción
• Se utiliza para etapas de conversión dc-dc de alta tensión
• Ideal para conjuntos de medio puente de controlador de motor
• Se puede utilizar para fuentes de alimentación compactas de montaje en superficie
• Se utiliza con circuitos de rectificación síncronos para mayor eficiencia
• Se utiliza para etapas de conversión dc-dc de alta tensión
• Ideal para conjuntos de medio puente de controlador de motor
• Se puede utilizar para fuentes de alimentación compactas de montaje en superficie
• Se utiliza con circuitos de rectificación síncronos para mayor eficiencia
¿Qué configuración de contactos utiliza para la disposición de la placa de circuito impreso?
El dispositivo utiliza un encapsulado de 10 pines en una disposición de drenaje común, lo que permite el enrutamiento específico de las conexiones de fuente y puerta al tiempo que mantiene el drenaje común a través de la estructura de matriz triple.
¿Cómo funciona el diodo intrínseco durante la conducción?
El diodo de cuerpo presenta una tensión directa de 0,79 V, que afecta a las pérdidas de conducción y a la carga térmica durante los eventos de recuperación inversa.
¿Están disponibles ambas polaridades de canal en el mismo componente?
El dispositivo contiene elementos de canal P y canal N implementados como transistores de modo de mejora para alojar topologías de conmutación complementarias.
¿Qué intervalo de temperatura ambiente puede tolerar durante el funcionamiento?
Está especificado para funcionar de –55 a +175 °C, lo que permite su uso en un amplio rango térmico en condiciones hostiles.
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