MOSFET Vishay, Tipo P, Tipo N-Canal SQUN702E-T1_GE3, VDSS 200 V, ID 30 A, Trío, Mejora de 10 pines, 3, config. Drenaje

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Opções de embalagem:
Código RS:
188-5065
Referência do fabricante:
SQUN702E-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo P, Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

30A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Encapsulado

Trío

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

10

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

60W

Tensión directa Vf

0.79V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

23nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

175°C

Temperatura de funcionamiento máxima

-55°C

Configuración de transistor

Drenaje común

Certificaciones y estándares

No

Número de elementos por chip

3

Estándar de automoción

AEC-Q101

Par de MOSFET de 40 V N y P-Channel Automotor y MOSFET de 200 V N-Channel.

Paquete triple dado optimizado

MOSFET de potencia TrenchFET®

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