MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay SIHD11N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 8 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 210-4979
- Referência do fabricante:
- SIHD11N80AE-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
4,94 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 2980 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 + | 0,988 € | 4,94 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 210-4979
- Referência do fabricante:
- SIHD11N80AE-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Serie | E | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 391mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 28nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 78W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 6.4mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 9.4mm | |
| Altura | 2.2mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Serie E | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 391mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 28nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 78W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 6.4mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 9.4mm | ||
Altura 2.2mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia serie E de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 800 V, corriente de drenaje continua de 8 A - SIHD11N80AE-GE3
Este MOSFET de potencia es un transistor de modo de mejora de canal N de alta tensión diseñado para conmutación y conversión de potencia en sistemas electrónicos industriales. Se suministra en un encapsulado TO-252 de montaje en superficie y está diseñado para funcionar en un amplio rango de temperaturas adecuado para entornos exigentes. Los límites eléctricos clave y el manejo térmico permiten su uso en circuitos que requieren una tolerancia de tensión elevada y una capacidad de corriente continua moderada.
Características y ventajas:
• El valor nominal de drenaje de 800 V permite aplicaciones de conmutación de alta tensión • La corriente de drenaje continua de 8 A admite la manipulación de carga en estado estable • La Rds(on) de 391 mΩ reduce las pérdidas de conducción para aumentar la eficiencia • La carga de puerta típica de 28 nC minimiza el consumo de energía de conmutación • La capacidad de disipación de potencia de 78 W ayuda al margen térmico en los montajes
Aplicaciones
• Apto para conmutación de lado primario en SMPS para equipos industriales • Ideal para etapas de conversión dc-dc de alta tensión en fuentes de alimentación • Se utiliza para la conmutación frontal de inversores en accionamientos de motores industriales • Puede utilizarse para circuitos de amortiguación o abrazadera en sistemas de alta tensión
¿Qué consideraciones de accionamiento de puerta se requieren para una conmutación fiable?
El dispositivo puede tolerar tensiones de puerta de hasta 30 V, por lo que los controladores de puerta deben proporcionar niveles de Vgs adecuados al tiempo que limitan los transitorios para evitar sobretensión.
¿Cómo afecta la temperatura al funcionamiento admisible?
El componente está diseñado para funcionar de -55 °C hasta 150 °C
los diseñadores deben tener en cuenta la reducción de la resistencia térmica y de corriente en condiciones de temperatura elevada.
¿Qué encapsulado y estilo de montaje utiliza para el diseño de PCB?
Se suministra en un encapsulado de montaje en superficie TO-252 con tres contactos, lo que permite la fijación soldada a la placa de cobre y el uso de patrones de tierra térmica de PCB para la disipación de calor.
¿Qué compensaciones de rendimiento de conmutación se deben esperar?
Su carga de puerta moderada de 28 nC equilibra la velocidad de conmutación y la energía de accionamiento, mientras que la Rds(on) relativamente alta implica pérdidas de conducción más altas en comparación con dispositivos de baja resistencia, lo que debe tenerse en cuenta para los presupuestos de eficiencia.
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 800 V, ID 8 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHD11N80AE-T1-GE3, VDSS 850 V, ID 8 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 850 V, ID 8 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHD2N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 2.9 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 800 V, ID 2.9 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiHD5N80AE-GE3, VDSS 850 V, ID 4.4 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHD6N80AE-GE3, VDSS 850 V, ID 5 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHD690N60E-GE3, VDSS 650 V, ID 6.4 A, Mejora, TO-252 de 3 pines