MOSFET de potencia, N-Canal Vishay SIHD2N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 2.9 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 188-4982
- Número do artigo Distrelec:
- 304-38-847
- Referência do fabricante:
- SIHD2N80AE-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | E | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.9Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 7nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 62.5W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 6.22mm | |
| Altura | 2.25mm | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie E | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.9Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 7nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 62.5W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 6.22mm | ||
Altura 2.25mm | ||
Longitud 6.73mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia serie E de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 800 V, disipación de potencia máxima de 62,5 W - SIHD2N80AE-GE3
Este MOSFET de potencia es un dispositivo de conmutación de alta tensión diseñado para su uso en contextos industriales y de conversión de potencia. Funciona como transistor de canal N de modo de mejora y está diseñado para diseños de circuitos de montaje en superficie donde se requiere un manejo de tensión robusto y un comportamiento de conmutación controlado. El dispositivo se suministra en un encapsulado TO-252 y cumple las normas ambientales RoHS.
Características y ventajas:
• La capacidad de fuente de drenaje de 800 V permite la conmutación de alta tensión
• La Rds(on) de 2,9 Ω admite pérdidas de conducción moderadas
• La disipación de potencia de 62,5 W permite una carga térmica elevada
• La carga de puerta típica de 7 nC proporciona una energía de conmutación predecible
• La potencia nominal de puerta de 30 V proporciona un amplio margen de accionamiento de puerta
• La corriente de drenaje continua de 2,9 A se adapta a cargas de estado estable
• La Rds(on) de 2,9 Ω admite pérdidas de conducción moderadas
• La disipación de potencia de 62,5 W permite una carga térmica elevada
• La carga de puerta típica de 7 nC proporciona una energía de conmutación predecible
• La potencia nominal de puerta de 30 V proporciona un amplio margen de accionamiento de puerta
• La corriente de drenaje continua de 2,9 A se adapta a cargas de estado estable
Aplicaciones
• Apto para convertidores e inversores de potencia de alta tensión
• Ideal para fuentes de alimentación de conmutación industriales y carriles auxiliares
• Se utiliza con controladores de puerta que requieren presupuestos de carga modestos
• Puede utilizarse para conmutación de carga de alta tensión no automotriz
• Ideal para fuentes de alimentación de conmutación industriales y carriles auxiliares
• Se utiliza con controladores de puerta que requieren presupuestos de carga modestos
• Puede utilizarse para conmutación de carga de alta tensión no automotriz
¿Qué intervalo de temperatura ambiente puede tolerar durante el funcionamiento?
Está diseñado para funcionar en un amplio rango de temperaturas de –55 a 150 °C, por lo que se adapta a entornos industriales exigentes.
¿Cómo influye el encapsulado en el montaje en PCB y la trayectoria térmica?
El encapsulado de montaje en superficie TO-252 permite una colocación compacta de la placa y proporciona una ruta de conducción térmica directa a la placa de cobre para disipar el calor.
¿Qué consideraciones de accionamiento de puerta deben observarse para el rendimiento de conmutación?
Las tensiones de accionamiento deben mantenerse dentro de los límites de ±30 V y estar dimensionadas para cargar la puerta con aproximadamente 7 nC para lograr el comportamiento de conmutación caracterizado sin una corriente de accionamiento excesiva.
¿Es adecuado para uso en sistemas de automoción?
No está especificado como de grado automotriz, por lo que no debe seleccionarse cuando se requieren homologaciones específicas para automoción.
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