MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRF630NPBF, VDSS 200 V, ID 9.3 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 543-0068
- Referência do fabricante:
- IRF630NPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 543-0068
- Referência do fabricante:
- IRF630NPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 9.3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 300mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 35nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 82W | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 10.54mm | |
| Altura | 8.77mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 9.3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 300mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 35nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 82W | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 10.54mm | ||
Altura 8.77mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 9,3 A, disipación de potencia máxima de 82 W - IRF630NPBF
Este MOSFET de canal N está diseñado para una amplia gama de aplicaciones en los sectores de la automatización y la electrónica. Ofrece una capacidad de disipación de energía óptima y un rendimiento eficiente, cruciales para los sistemas de alto rendimiento. Con una tensión de drenaje-fuente máxima de 200 V y una corriente de drenaje continua de 9,3 A, garantiza un funcionamiento fiable en entornos electrónicos exigentes.
Características y ventajas
• Alta potencia para aplicaciones eléctricas extensivas
• El diseño eficiente reduce la resistencia térmica para una refrigeración eficaz
• Las velocidades de conmutación rápidas mejoran el rendimiento en sistemas dinámicos
• Los requisitos de accionamiento sencillos facilitan la integración del circuito
• Totalmente apto para avalanchas, lo que lo hace idóneo para condiciones adversas
Aplicaciones
• Se utiliza en fuentes de alimentación industriales para mantener una regulación estable de la tensión
• Empleado en sistemas de control de motores para una funcionalidad eficiente
• Ideal para convertidores CC-CC y circuitos de gestión de potencia
• Se utiliza en sistemas de calefacción, ventilación y aire acondicionado para controlar los motores de los compresores
• Apropiado para sistemas de energía renovable, mejora la eficiencia energética
¿Cuál es la máxima tensión puerta-fuente que se puede aplicar?
La tensión máxima de la fuente de puerta es de ±20 V, lo que garantiza la compatibilidad con diversos diseños de circuitos.
¿Cómo gestiona el dispositivo la disipación térmica durante el funcionamiento?
Tiene una capacidad de disipación de potencia de 82 W, lo que permite una gestión eficaz del calor mientras se utiliza.
¿Hay algún tipo de montaje específico recomendado para un rendimiento óptimo?
El MOSFET está diseñado para montaje pasante, lo que favorece una gestión térmica y una conectividad eléctrica fiables.
¿Qué tipo de aplicaciones se benefician de su capacidad de conmutación rápida?
Las aplicaciones que requieren un funcionamiento a alta velocidad, como las fuentes de alimentación conmutadas y los convertidores compactos, aprovechan sus rápidas velocidades de conmutación.
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