MOSFET Infineon IRF3315PBF, VDSS 150 V, ID 23 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple

Código RS:: 542-9226
Referência do fabricante:: IRF3315PBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRF3315PBF, VDSS 150 V, ID 23 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple

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Código RS:: 542-9226
Referência do fabricante:: IRF3315PBF
Fabricante:: Infineon

IRF3315PBF Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

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Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	23 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	150 V
Serie	HEXFET
Tipo de Encapsulado	TO-220AB
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	70 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	94 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Ancho	4.69mm
Longitud	10.54mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Número de Elementos por Chip	1
Carga Típica de Puerta @ Vgs	95 nC a 10 V
Material del transistor	Si
Altura	8.77mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET Infineon IRF3315PBF, VDSS 150 V, ID 23 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple

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MOSFET de potencia de canal N, 150 V a 600 V, Infineon