MOSFET Vishay, N-Canal IRFB9N65APBF, VDSS 650 V, ID 8.5 A, JEDEC TO-220AB, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple

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Código RS:
541-1938
Referência do fabricante:
IRFB9N65APBF
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

8.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

JEDEC TO-220AB

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

930mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-30V, +30V

Disipación de potencia máxima Pd

167W

Temperatura de funcionamiento máxima

+150°C

Configuración de transistor

Simple

Número de elementos por chip

1

MOSFET de canal N, 600 V a 1000 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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