MOSFET Vishay, N-Canal IRFB9N65APBF, VDSS 650 V, ID 8.5 A, JEDEC TO-220AB, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 541-1938
- Referência do fabricante:
- IRFB9N65APBF
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 541-1938
- Referência do fabricante:
- IRFB9N65APBF
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) | 650 V | |
| Corriente continua máxima de drenaje (ld) | 8.5 A | |
| Encapsulado | JEDEC TO-220AB | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Número de pines | 3 | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) | 930 mΩ | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -30 V, +30 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | +150 °C | |
| Disipación de potencia máxima (Pd) | 167 W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 650 V | ||
Corriente continua máxima de drenaje (ld) 8.5 A | ||
Encapsulado JEDEC TO-220AB | ||
Modo de canal Mejora | ||
Número de pines 3 | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) 930 mΩ | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -30 V, +30 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima +150 °C | ||
Disipación de potencia máxima (Pd) 167 W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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