MOSFET onsemi FQP17P10, VDSS 100 V, ID 16.5 A, JEDEC TO-220AB, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 145-4520
- Referência do fabricante:
- FQP17P10
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Sem stock actualmente
Não sabemos se este item estará de novo em stock, a RS pretende retirá-lo em breve da sua gama.
- Código RS:
- 145-4520
- Referência do fabricante:
- FQP17P10
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 16.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | QFET | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 190mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -30V, +30V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 10W | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | +175°C | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 16.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado JEDEC TO-220AB | ||
Serie QFET | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 190mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -30V, +30V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 10W | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Temperatura de funcionamiento máxima +175°C | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
MOSFET de canal P QFET®, Fairchild Semiconductor
Los nuevos MOSFET planares QFET® de FairField Semiconductor utilizan tecnología avanzada y propietaria para ofrecer el mejor rendimiento de funcionamiento de su clase para una amplia gama de aplicaciones, incluidas fuentes de alimentación, PFC (corrección de factor de potencia), convertidores dc-dc, paneles de display de plasma (PDP), balastos de iluminación y control de movimiento.
Ofrecen una pérdida de estado encendido reducida mediante la reducción de la resistencia de encendido (RDS(on)), y una pérdida de conmutación reducida mediante la reducción de la carga de puerta (Qg) y la capacitancia de salida (Coss). Al utilizar la tecnología de proceso QFET® avanzada, Fairchild puede ofrecer una cifra de mérito (FOM) mejorada con respecto a los dispositivos MOSFET Planar de la competencia.
Transistores MOSFET, ON Semi
><
Los transistores MOSFET semi-ON proporcionan una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión y sobretensión reducidos, hasta una capacidad de unión y una carga de recuperación inversa más bajas, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas activos y funcionando durante más tiempo.
Links relacionados
- MOSFET onsemi, N-Canal FQP44N10, VDSS 100 V, ID 43 A, JEDEC TO-220AB, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple
- MOSFET Infineon, N-Canal AUIRL3705Z, VDSS 55 V, JEDEC TO-220AB, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple
- MOSFET Vishay, N-Canal IRFB13N50APBF, VDSS 500 V, ID 14 A, JEDEC TO-220AB, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple
- MOSFET Vishay, N-Canal IRFB9N65APBF, VDSS 650 V, ID 8.5 A, JEDEC TO-220AB, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple
- MOSFET Infineon, N-Canal IRF3315PBF, VDSS 150 V, ID 23 A, JEDEC TO-220AB, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple
- MOSFET Infineon, N-Canal IRF1407PBF, VDSS 75 V, ID 130 A, JEDEC TO-220AB, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple
- MOSFET Nexperia, N-Canal PSMN3R4-30PL,127, VDSS 30 V, ID 100 A, JEDEC TO-220AB, Mejora de 3 pines, config. Simple
- MOSFET Nexperia, N-Canal PSMN3R0-60PS,127, VDSS 60 V, ID 100 A, JEDEC TO-220AB, Mejora de 3 pines, config. Simple