MOSFET Infineon, Tipo N-Canal IRF1407PBF, VDSS 75 V, ID 130 A, JEDEC TO-220AB, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 170-2243
- Referência do fabricante:
- IRF1407PBF
- Fabricante:
- Infineon
Sem stock actualmente
Não sabemos se este item estará de novo em stock, a RS pretende retirá-lo em breve da sua gama.
- Código RS:
- 170-2243
- Referência do fabricante:
- IRF1407PBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 130A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 75V | |
| Serie | IRF1407PbF | |
| Encapsulado | JEDEC TO-220AB | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 330W | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Altura | 16.51mm | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 130A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 75V | ||
Serie IRF1407PbF | ||
Encapsulado JEDEC TO-220AB | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 330W | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 10.67mm | ||
Altura 16.51mm | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Este diseño planar de tira de MOSFET de potencia HEXFET® utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de conexión muy baja por área de silicio. Las características adicionales de este MOSFET de potencia de HEXFET son una temperatura de funcionamiento de 175 °C, velocidad de conmutación rápida y valor nominal de avalancha repetida mejorado. Estas ventajas se combinan para que este diseño sea un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
Ventajas:
Baja RDS(on)
Valor nominal de dv/dt dinámico
Conmutación rápida
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Aplicaciones de destino:
Consumo de puente completo
Puente completo
Inserción-extracción
Links relacionados
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal AUIRL3705Z, JEDEC TO-220AB, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal IRF3315PBF, VDSS 150 V, ID 23 A, JEDEC TO-220AB, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 75 V, ID 75 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FDP75N08A, VDSS 75 V, ID 75 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET onsemi, Tipo N-Canal FQP44N10, VDSS 100 V, ID 43 A, JEDEC TO-220AB, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple
- MOSFET Vishay, Tipo N-Canal IRFB13N50APBF, VDSS 500 V, ID 14 A, JEDEC TO-220AB, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 140 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 87 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines