MOSFET Infineon, Tipo N-Canal IRF1407PBF, VDSS 75 V, ID 130 A, JEDEC TO-220AB, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 170-2243
- Referência do fabricante:
- IRF1407PBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 170-2243
- Referência do fabricante:
- IRF1407PBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 130A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 75V | |
| Serie | IRF1407PbF | |
| Encapsulado | JEDEC TO-220AB | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 330W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Anchura | 4.83 mm | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Altura | 16.51mm | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 130A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 75V | ||
Serie IRF1407PbF | ||
Encapsulado JEDEC TO-220AB | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 330W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Anchura 4.83 mm | ||
Longitud 10.67mm | ||
Altura 16.51mm | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Este diseño planar de tira de MOSFET de potencia HEXFET® utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de conexión muy baja por área de silicio. Las características adicionales de este MOSFET de potencia de HEXFET son una temperatura de funcionamiento de 175 °C, velocidad de conmutación rápida y valor nominal de avalancha repetida mejorado. Estas ventajas se combinan para que este diseño sea un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
Ventajas:
Baja RDS(on)
Valor nominal de dv/dt dinámico
Conmutación rápida
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Aplicaciones de destino:
Consumo de puente completo
Puente completo
Inserción-extracción
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