MOSFET, N-Canal Vishay SIS4634LDN-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 8 A, Mejora, 1212-8 de 8 pines
- Código RS:
- 279-9974
- Referência do fabricante:
- SIS4634LDN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- SIS4634LDN-T1-GE3
- Fabricante:
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | SIS | |
| Encapsulado | 1212-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.029Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 19.8W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 11nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 3.3mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie SIS | ||
Encapsulado 1212-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.029Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 19.8W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 11nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 3.3mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Vishay es de canal N, y el transistor que contiene está fabricado en un material conocido como silicio.
MOSFET de potencia TrenchFET
Probado al 100 % en cuanto a Rg y UIS
Reduce la pérdida de potencia relacionada con la conmutación
Dispositivo completamente libre de plomo (Pb)
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