MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SISH103DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 54 A, Mejora, 1212-8 de 8 pines

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Opções de embalagem:
Código RS:
279-9981
Referência do fabricante:
SISH103DN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

54A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

SISH

Encapsulado

1212-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0089Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

41.6W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

72nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

3.3mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de Vishay es de canal P y el transistor que lleva está fabricado de un material conocido como silicio.

MOSFET de potencia TrenchFET

Probado al 100 % en cuanto a Rg y UIS

Dispositivo completamente libre de plomo (Pb)

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