MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SISS4410DN-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 36 A, Mejora, 1212-8 de 8 pines
- Código RS:
- 279-9990
- Referência do fabricante:
- SISS4410DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 10 unidades)*
7,48 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 5960 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 0,748 € | 7,48 € |
| 50 - 90 | 0,562 € | 5,62 € |
| 100 - 240 | 0,499 € | 4,99 € |
| 250 - 990 | 0,488 € | 4,88 € |
| 1000 + | 0,478 € | 4,78 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 279-9990
- Referência do fabricante:
- SISS4410DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 36A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | 1212-8 | |
| Serie | SISS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.009Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 18nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 19.8W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 3.3mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 36A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado 1212-8 | ||
Serie SISS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.009Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 18nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 19.8W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 3.3mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Vishay es un MOSFET de canal N y el transistor que contiene está fabricado de un material conocido como silicio.
MOSFET de potencia TrenchFET
Dispositivo completamente libre de plomo (Pb)
RDS muy bajo x Qg cifra de mérito
Probado al 100 % Rg y UIS
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SISS4410DN-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 36 A, Mejora, 1212-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIS4634LDN-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 8 A, Mejora, 1212-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SISH107DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 34.4 A, Mejora, 1212-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SISH103DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 54 A, Mejora, 1212-8 de 8 pines
- MOSFET Vishay, Tipo N-Canal SIS9446DN-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 34 A, 1212-8, Mejora de 8 pines, 2
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI7615ADN-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 35 A, Mejora, PowerPAK 1212-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SIS415DNT-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 35 A, Mejora, PowerPAK 1212-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIS112LDN-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 8.8 A, Mejora, PowerPAK 1212-8 de 8 pines