MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SI1480BDH-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 1.9 A, Mejora, US de 6 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 25 unidades)*

8,70 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • 6000 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
25 - 250,348 €8,70 €
50 - 750,341 €8,53 €
100 - 2250,31 €7,75 €
250 - 9750,304 €7,60 €
1000 +0,298 €7,45 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
279-9891
Referência do fabricante:
SI1480BDH-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

1.9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

SI

Encapsulado

US

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.212Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

6nC

Disipación de potencia máxima Pd

1.7W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El MOSFET de Vishay es un MOSFET de canal N y el transistor que contiene está fabricado de un material conocido como silicio.

MOSFET de potencia TrenchFET

Probado al 100 % Rg y UIS

Dispositivo completamente libre de plomo (Pb)

Links relacionados