MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIA462DJ-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 12 A, Mejora, US de 6 pines

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Código RS:
814-1222
Referência do fabricante:
SIA462DJ-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

12A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

US

Serie

SiA462DJ

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.018Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

19W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

17nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

0.8mm

Anchura

2.15 mm

Longitud

2.15mm

Certificaciones y estándares

Lead (Pb)-Free

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN

MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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