MOSFET, Tipo P-Canal Vishay, VDSS 12 V, ID 4 A, Mejora, US de 6 pines
- Código RS:
- 180-7264
- Referência do fabricante:
- SI1401EDH-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 180-7264
- Referência do fabricante:
- SI1401EDH-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 12V | |
| Encapsulado | US | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 34mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 14.1nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.8W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 10 V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 2.4 mm | |
| Longitud | 2.2mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 12V | ||
Encapsulado US | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 34mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 14.1nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.8W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 10 V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 2.4 mm | ||
Longitud 2.2mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET Vishay
El MOSFET de canal P de montaje superficial Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 12V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 10V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 34mohm a una tensión de fuente de puerta de 4,5V V. Ofrece una disipación de potencia máxima de 2,8W mW y una corriente de drenaje continua de 4A A. La tensión de accionamiento mínima y máxima para este transistor es de 1,5V V y 4,5V V respectivamente. El MOSFET se ha optimizado para menores pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.
Características y ventajas
• Libre de halógenos
• Sin plomo (Pb)
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.
• MOSFET de potencia TrenchFET
• Rendimiento típico de ESD 1500V kV
Aplicaciones
• Teléfono móvil
• DSC
• GPS
• Interruptor de carga
• MP3
• Interruptor PA y interruptor de batería para dispositivos portátiles
• Consola de juegos portátil
Certificaciones
• ANSI/ESD S20,20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• Rg probado
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