MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 30 V, ID 14 A, Mejora, SOIC de 8 pines
- Código RS:
- 165-2664
- Referência do fabricante:
- SI4134DY-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*
455,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
A ser descontinuado
- Última(s) 2500 unidade(s) diponível/disponíveis para envio a partir de outro centro de distribuição
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,182 € | 455,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 165-2664
- Referência do fabricante:
- SI4134DY-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 14A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | Si4134DY | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.014Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 7.3nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 5W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 5mm | |
| Certificaciones y estándares | IEC 61249-2-21 | |
| Altura | 1.5mm | |
| Anchura | 4 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 14A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie Si4134DY | ||
Encapsulado SOIC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.014Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 7.3nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 5W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 5mm | ||
Certificaciones y estándares IEC 61249-2-21 | ||
Altura 1.5mm | ||
Anchura 4 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay Si4134DY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 14 A, Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 40 V, ID 36 A, Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 100 V, ID 11.1 A, Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 60 V, ID 12 A, Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 100 V, ID 20 A, Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 40 V, ID 19 A, Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 30 V, ID 10.9 A, Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 30 V, ID 13.6 A, Mejora, SOIC de 8 pines