MOSFET, Tipo P-Canal Infineon SPP18P06PHXKSA1, VDSS 60 V, ID -18.7 A, Mejora, PG-TO252-3 de 3 pines

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Código RS:
273-7552
Referência do fabricante:
SPP18P06PHXKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

-18.7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

SPP18P06P-H

Encapsulado

PG-TO252-3

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.13Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.33V

Disipación de potencia máxima Pd

81.1W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

8V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

28nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

40mm

Altura

1.5mm

Longitud

40mm

Certificaciones y estándares

Qualified according to AEC Q101, Halogen Free according to IEC61249-2-21, RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de Infineon es un MOSFET de señal pequeña de canal P. Estos productos cumplen constantemente las más altas exigencias de calidad y rendimiento en las especificaciones clave para el diseño de sistemas de alimentación, como la resistencia de estado y las características de mérito. No contiene halógenos de acuerdo con IEC61249 2 21.

Conformidad con RoHS

Valor nominal de avalancha

Modo de mejora

Acabado de cable sin plomo

Calificación conforme a AEC Q101

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