MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID -18.6 A, Mejora, PG-TO252-3 de 3 pines
- Código RS:
- 273-2832
- Referência do fabricante:
- SPD18P06PGBTMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
5,85 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 50 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,17 € | 5,85 € |
| 50 - 95 | 1,044 € | 5,22 € |
| 100 - 245 | 0,81 € | 4,05 € |
| 250 + | 0,796 € | 3,98 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 273-2832
- Referência do fabricante:
- SPD18P06PGBTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | -18.6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | SPD18P06P G | |
| Encapsulado | PG-TO252-3 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 22nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 80W | |
| Tensión directa Vf | 1.33V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 1.5mm | |
| Anchura | 40 mm | |
| Certificaciones y estándares | IEC 68-1, RoHS, AEC Q101 | |
| Longitud | 40mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld -18.6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie SPD18P06P G | ||
Encapsulado PG-TO252-3 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 22nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 80W | ||
Tensión directa Vf 1.33V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 1.5mm | ||
Anchura 40 mm | ||
Certificaciones y estándares IEC 68-1, RoHS, AEC Q101 | ||
Longitud 40mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de Infineon es un MOSFET de canal P en modo de mejora. Tiene una temperatura de funcionamiento de 175 ºC. Este MOSFET está calificado según la norma AEC Q101.
Conformidad con RUSP
Especificado para avalancha
Chapado sin plomo
Links relacionados
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon SPD18P06PGBTMA1, VDSS 60 V, ID -18.6 A, Mejora, PG-TO252-3 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 6.5 A, Mejora, PG-TO252-3 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 4.3 A, Mejora, PG-TO252-3 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID -16.4 A, Mejora, PG-TO252-3 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID -18.7 A, Mejora, PG-TO252-3 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID -4.2 A, Mejora, PG-TO252-3 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon SPD04P10PLGBTMA1, VDSS 100 V, ID -4.2 A, Mejora, PG-TO252-3 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IPD40DP06NMATMA1, VDSS 60 V, ID 4.3 A, Mejora, PG-TO252-3 de 3 pines
