MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID -18.6 A, Mejora, PG-TO252-3 de 3 pines
- Código RS:
- 273-2832
- Referência do fabricante:
- SPD18P06PGBTMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 273-2832
- Referência do fabricante:
- SPD18P06PGBTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | -18.6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | PG-TO252-3 | |
| Serie | SPD18P06P G | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 80W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 22nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.33V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 1.5mm | |
| Longitud | 40mm | |
| Certificaciones y estándares | IEC 68-1, RoHS, AEC Q101 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld -18.6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado PG-TO252-3 | ||
Serie SPD18P06P G | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 80W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 22nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.33V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 1.5mm | ||
Longitud 40mm | ||
Certificaciones y estándares IEC 68-1, RoHS, AEC Q101 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de Infineon es un MOSFET de canal P en modo de mejora. Tiene una temperatura de funcionamiento de 175 ºC. Este MOSFET está calificado según la norma AEC Q101.
Conformidad con RUSP
Especificado para avalancha
Chapado sin plomo
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