Referência do fabricante

MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID -18.7 A, Mejora, PG-TO252-3 de 3 pines

Código RS:: 273-7553
Número do artigo Distrelec:: 304-41-690
Referência do fabricante:: SPP18P06PHXKSA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID -18.7 A, Mejora, PG-TO252-3 de 3 pines

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Código RS:: 273-7553
Número do artigo Distrelec:: 304-41-690
Referência do fabricante:: SPP18P06PHXKSA1
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	Tipo P
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	-18.7A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	60V
	Serie	SPP18P06P-H
	Encapsulado	PG-TO252-3
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	0.13Ω
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	8 V
	Disipación de potencia máxima Pd	81.1W
	Tensión directa Vf	1.33V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	28nC
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Anchura	40 mm
	Certificaciones y estándares	Qualified according to AEC Q101, Halogen Free according to IEC61249-2-21, RoHS
	Altura	1.5mm
	Longitud	40mm
	Estándar de automoción	AEC-Q101

	Selecionar tudo
	Marca Infineon
	Tipo de canal Tipo P
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld -18.7A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V
	Serie SPP18P06P-H
	Encapsulado PG-TO252-3
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.13Ω
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 8 V
	Disipación de potencia máxima Pd 81.1W
	Tensión directa Vf 1.33V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 28nC
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Anchura 40 mm
	Certificaciones y estándares Qualified according to AEC Q101, Halogen Free according to IEC61249-2-21, RoHS
	Altura 1.5mm
	Longitud 40mm
	Estándar de automoción AEC-Q101

Datasheet - SPP18P06PHXKSA1

El MOSFET de Infineon es un MOSFET de señal pequeña de canal P. Estos productos cumplen constantemente las más altas exigencias de calidad y rendimiento en las especificaciones clave para el diseño de sistemas de alimentación, como la resistencia de estado y las características de mérito. No contiene halógenos de acuerdo con IEC61249 2 21.

Conformidad con RoHS

Valor nominal de avalancha

Modo de mejora

Acabado de cable sin plomo

Calificación conforme a AEC Q101

MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID -18.7 A, Mejora, PG-TO252-3 de 3 pines

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