MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID -4.2 A, Mejora, PG-TO252-3 de 3 pines
- Código RS:
- 273-7551
- Referência do fabricante:
- SPD04P10PLGBTMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 273-7551
- Referência do fabricante:
- SPD04P10PLGBTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | -4.2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | PG-TO252-3 | |
| Serie | SPD04P10PL G | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 850mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 12nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 38W | |
| Tensión directa Vf | 0.94V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 40mm | |
| Certificaciones y estándares | AEC Q101, RoHS | |
| Altura | 1.5mm | |
| Anchura | 40 mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld -4.2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado PG-TO252-3 | ||
Serie SPD04P10PL G | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 850mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 12nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 38W | ||
Tensión directa Vf 0.94V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 40mm | ||
Certificaciones y estándares AEC Q101, RoHS | ||
Altura 1.5mm | ||
Anchura 40 mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de Infineon es un MOSFET de potencia de canal P. Estos productos cumplen constantemente las más altas exigencias de calidad y rendimiento en las especificaciones clave para el diseño de sistemas de alimentación, como la resistencia de estado y las características de mérito. Cuenta con calificación conforme a AEC Q101.
Nivel lógico
Conformidad con RoHS
Modo de mejora
Chapado sin plomo
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