MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 106 A, Mejora, PG-TSDSON-8FL de 8 pines

Código RS:: 273-5248
Referência do fabricante:: BSZ0902NSATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 106 A, Mejora, PG-TSDSON-8FL de 8 pines

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Código RS:: 273-5248
Referência do fabricante:: BSZ0902NSATMA1
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	106A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	30V
	Encapsulado	PG-TSDSON-8FL
	Serie	OptiMOS
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	3.5mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd	48W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	26nC
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56
	Estándar de automoción	No

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	Marca Infineon
	Tipo de canal N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 106A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V
	Encapsulado PG-TSDSON-8FL
	Serie OptiMOS
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.5mΩ
	Modo de canal Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd 48W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 26nC
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56
	Estándar de automoción No

Datasheet - BSZ0902NSATMA1

MOSFET de la serie OptiMOS de Infineon, tensión de drenaje-fuente máxima de 30 V, corriente de drenaje continua máxima de 106 A - BSZ0902NSATMA1

Este MOSFET es un transistor de potencia de modo de mejora de canal N diseñado para uso de montaje en superficie en funciones de conmutación de alta corriente y conversión de potencia. Admite amplias temperaturas de funcionamiento y es adecuado para diseños que requieren un manejo térmico robusto y pérdidas de conducción reducidas. El dispositivo cumple los estándares de material y ambientales pertinentes, al tiempo que está configurado para la integración de PCB de perfil bajo.

Características y ventajas:

• La baja resistencia de conexión de 3,5 mΩ reduce las pérdidas por conducción y mejora la eficiencia
• La disipación de potencia de 48 W permite un manejo sostenido de la carga térmica
• La carga de puerta típica de 26 nC permite una conmutación más rápida con requisitos de accionamiento controlado
• La tensión de puerta máxima de 20 V proporciona margen para diseños de accionamiento de puerta
• El funcionamiento nominal a -55 °C a 150 °C admite entornos térmicos amplios

Aplicaciones

• Adecuado para convertidores dc-dc de alta corriente y etapas de potencia
• Ideal para rectificación síncrona en circuitos de alimentación
• Se utiliza para etapas de accionamiento de motor que requieren una corriente continua considerable
• Puede utilizarse para la gestión de baterías y la protección de la distribución
• Se utiliza con conjuntos compactos de montaje en superficie en placas de gestión térmica

¿Qué encapsulado se proporciona para montaje en superficie de perfil bajo?

Se suministra en un encapsulado PG-TSDSON-8FL diseñado para montaje en superficie.

¿Cómo gestiona el componente la tensión térmica a corto plazo?

El dispositivo permite una disipación de potencia máxima de 48 W que rige su resistencia térmica bajo carga cuando se aplica una refrigeración de PCB adecuada.

¿Cuáles son los límites eléctricos para los terminales de puerta y drenaje?

La puerta se puede accionar hasta 20 V mientras que el drenaje a la fuente resiste hasta 30 V.

¿Está diseñada esta pieza para aplicaciones específicas de automoción?

No está clasificado como de uso automovilístico, pero cumple con RoHS y los estándares ambientales y de materiales especificados por IEC y DIN.