MOSFET, Tipo N-Canal Infineon ISZ019N03L5SATMA1, VDSS 30 V, ID 40 A, Mejora, PG-TSDSON-8FL de 8 pines
- Código RS:
- 273-5358
- Referência do fabricante:
- ISZ019N03L5SATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Sem stock actualmente
Não sabemos se este item estará de novo em stock, a RS pretende retirá-lo em breve da sua gama.
- Código RS:
- 273-5358
- Referência do fabricante:
- ISZ019N03L5SATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 40A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | ISZ | |
| Encapsulado | PG-TSDSON-8FL | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.9mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 44nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC61249-2-21, JEDEC Standard, RoHS | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 40A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie ISZ | ||
Encapsulado PG-TSDSON-8FL | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.9mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 44nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares IEC61249-2-21, JEDEC Standard, RoHS | ||
El MOSFET de potencia de Infineon es un convertidor de bajada de alto rendimiento optimizado. Este MOSFET de potencia tiene una excelente carga de puerta. Tiene una resistencia de encendido muy baja y está calificado de acuerdo con el estándar JEDEC.
Sin halógenos
Conformidad con RoHS
Chapado sin plomo
Superior resistencia térmica
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 40 A, Mejora, PG-TSDSON-8FL de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 142 A, Mejora, PG-TSDSON-8FL de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 106 A, Mejora, PG-TSDSON-8FL de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon ISZ810P06LMATMA1, VDSS 60 V, ID -19.5 A, Mejora, PG-TSDSON-8FL de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSZ0902NSATMA1, VDSS 30 V, ID 106 A, Mejora, PG-TSDSON-8FL de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSZ0901NSIATMA1, VDSS 30 V, ID 142 A, Mejora, PG-TSDSON-8FL de 8 pines
- MOSFET de potencia OptiMOSTM, Tipo N-Canal Infineon ISZ040N03L5ISATMA1, VDSS 30 V, ID 40 A, Mejora, PG-TSDSON-8FL de 8
- MOSFET de potencia OptiMOSTM, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 40 A, Mejora, PG-TSDSON-8FL de 8 pines