MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 142 A, Mejora, PG-TSDSON-8FL de 8 pines
- Código RS:
- 273-5246
- Referência do fabricante:
- BSZ0901NSIATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,142 € | 5,71 € |
| 50 - 495 | 0,954 € | 4,77 € |
| 500 - 995 | 0,816 € | 4,08 € |
| 1000 - 2495 | 0,804 € | 4,02 € |
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- Código RS:
- 273-5246
- Referência do fabricante:
- BSZ0901NSIATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 142A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Encapsulado | PG-TSDSON-8FL | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.1mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 41nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 69W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 142A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie OptiMOS | ||
Encapsulado PG-TSDSON-8FL | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.1mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 41nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 69W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Infineon es un MOSFET de potencia de canal N. Este MOSFET tiene un diodo tipo Schottky monolítico integrado. Está calificado de acuerdo con JEDEC para aplicaciones de destino y está 100 por ciento probado contra avalanchas. SyncFET optimizado para convertidor de bajada de alto rendimiento.
Sin halógenos
Conformidad con RoHS
Chapado sin plomo
Resistencia de encendido muy baja
Superior resistencia térmica
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