Transistor de potencia, Tipo N-Canal Infineon ISZ520N20NM6ATMA1, VDSS 200 V, ID 26 A, Mejora, PG-TSDSON-8FL de 8 pines
- Código RS:
- 349-157
- Referência do fabricante:
- ISZ520N20NM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,87 € | 9,35 € |
| 50 - 95 | 1,778 € | 8,89 € |
| 100 - 495 | 1,646 € | 8,23 € |
| 500 - 995 | 1,516 € | 7,58 € |
| 1000 + | 1,458 € | 7,29 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 349-157
- Referência do fabricante:
- ISZ520N20NM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | Transistor de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 26A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Encapsulado | PG-TSDSON-8FL | |
| Serie | ISZ | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 52mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 9.9nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 88W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC61249‑2‑21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto Transistor de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 26A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Encapsulado PG-TSDSON-8FL | ||
Serie ISZ | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 52mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 9.9nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 88W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares IEC61249‑2‑21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- MY
Este MOSFET OptiMOS 6 de Infineon establece un nuevo estándar tecnológico. Responde a las necesidades de alta densidad de potencia, gran eficacia y alta fiabilidad. La tecnología OptiMOS 6 200 V se diseñó para un rendimiento óptimo en aplicaciones de accionamiento de motores, como LEV, carretillas elevadoras y drones. El nuevo OptiMOS 6 presenta una RDS(on) líder en el sector, así como una capacidad mejorada de conmutación y distribución de corriente, lo que permite alta densidad de potencia, menos conexiones en paralelo y un excelente rendimiento EMI.
Bajas pérdidas por conducción
Bajas pérdidas por conmutación
Funcionamiento estable con EMI mejorada
Se precisan menos conexiones en paralelo
Mejor distribución de corriente en conexión en paralelo
Respetuoso con el medio ambiente
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