MOSFET, Tipo P-Canal Infineon BSO080P03SHXUMA1, VDSS -30 V, ID -14.9 A, Mejora, PG-DSO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 273-5241
- Referência do fabricante:
- BSO080P03SHXUMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*
2 670,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 04 de maio de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 1,068 € | 2 670,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 273-5241
- Referência do fabricante:
- BSO080P03SHXUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | -14.9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | -30V | |
| Serie | BSO080P03S H OptiMOSTM-P | |
| Encapsulado | PG-DSO-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.5W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | -102nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V | |
| Tensión directa Vf | -0.82V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | |
| Altura | 1.5mm | |
| Anchura | 40 mm | |
| Longitud | 40mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld -14.9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -30V | ||
Serie BSO080P03S H OptiMOSTM-P | ||
Encapsulado PG-DSO-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.5W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs -102nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V | ||
Tensión directa Vf -0.82V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | ||
Altura 1.5mm | ||
Anchura 40 mm | ||
Longitud 40mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Infineon es un MOSFET de potencia de canal P. Estos productos cumplen constantemente las más altas exigencias de calidad y rendimiento en las especificaciones clave para el diseño de sistemas de alimentación, como la resistencia de estado y las características de mérito. Tiene una temperatura de funcionamiento de 150 grados centígrados y está calificado según JEDEC para aplicaciones de destino.
Nivel lógico
Sin halógenos
Conformidad con RoHS
Chapado sin plomo
Modo de mejora
Links relacionados
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS -30 V, ID -14.9 A, Mejora, PG-DSO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS -30 V, ID 14.9 A, Mejora, PG-DSO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon BSO301SPHXUMA1, VDSS -30 V, ID 14.9 A, Mejora, PG-DSO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 20 V, ID 14.9 A, Mejora, DSO de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon BSO201SPHXUMA1, VDSS 20 V, ID 14.9 A, Mejora, DSO de 8 pines
- MOSFET, Tipo N, Tipo P-Canal Infineon ISA150233C03LMDSXTMA, VDSS 30 V, ID 10.2 A, Mejora, PG-DSO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N, Tipo P-Canal Infineon ISA250300C04LMDSXTMA1, VDSS 40 V, ID 7.9 A, Mejora, PG-DSO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N, Tipo P-Canal Infineon ISA170230C04LMDSXTMA1, VDSS 40 V, ID 9.6 A, Mejora, PG-DSO-8 de 8 pines