Referência do fabricante

MOSFET, Tipo N, Tipo P-Canal Infineon ISA250300C04LMDSXTMA1, VDSS 40 V, ID 7.9 A, Mejora, PG-DSO-8 de 8 pines

Código RS:: 348-907
Referência do fabricante:: ISA250300C04LMDSXTMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N, Tipo P-Canal Infineon ISA250300C04LMDSXTMA1, VDSS 40 V, ID 7.9 A, Mejora, PG-DSO-8 de 8 pines

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Código RS:: 348-907
Referência do fabricante:: ISA250300C04LMDSXTMA1
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N, Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld	7.9A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	40V
	Encapsulado	PG-DSO-8
	Serie	ISA
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	35mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	8.1nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	±20 V
	Disipación de potencia máxima Pd	2.5W
	Tensión directa Vf	1V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Longitud	6.2mm
	Certificaciones y estándares	IEC61249‐2‐21, JEDEC
	Anchura	5 mm
	Altura	1.75mm
	Estándar de automoción	No

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	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N, Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld 7.9A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V
	Encapsulado PG-DSO-8
	Serie ISA
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 35mΩ
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 8.1nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V
	Disipación de potencia máxima Pd 2.5W
	Tensión directa Vf 1V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Longitud 6.2mm
	Certificaciones y estándares IEC61249‐2‐21, JEDEC
	Anchura 5 mm
	Altura 1.75mm
	Estándar de automoción No

Datasheet - ISA250300C04LMDSXTMA1

COO (País de Origem):: CN

Estos transistores de potencia OptiMOS 3 de Infineon, disponibles en configuraciones complementarias de canal N y P, están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia. Estos MOSFET presentan una resistencia de encendido (RDS(on)) muy baja, lo que minimiza las pérdidas de conducción y mejora el rendimiento general del sistema. Además, ofrecen una resistencia térmica superior, lo que garantiza una mejor disipación térmica y fiabilidad en aplicaciones exigentes. Estas características los hacen ideales para diversos diseños de gestión de potencia y eficiencia energética.

100 % a prueba de avalancha

Revestimiento sin Pb y conforme a RoHS

Sin halógenos según IEC61249‑2‑21

MOSFET, Tipo N, Tipo P-Canal Infineon ISA250300C04LMDSXTMA1, VDSS 40 V, ID 7.9 A, Mejora, PG-DSO-8 de 8 pines

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