MOSFET, Tipo N, Tipo P-Canal Infineon ISA170230C04LMDSXTMA1, VDSS 40 V, ID 9.6 A, Mejora, PG-DSO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 348-909
- Referência do fabricante:
- ISA170230C04LMDSXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 10 unidades)*
9,87 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 4000 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,987 € | 9,87 € |
| 100 - 240 | 0,937 € | 9,37 € |
| 250 - 490 | 0,867 € | 8,67 € |
| 500 - 990 | 0,798 € | 7,98 € |
| 1000 + | 0,768 € | 7,68 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 348-909
- Referência do fabricante:
- ISA170230C04LMDSXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N, Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 9.6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | PG-DSO-8 | |
| Serie | ISA | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 29.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.5W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.75mm | |
| Anchura | 5 mm | |
| Longitud | 6.2mm | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC, IEC61249‐2‐21 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N, Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 9.6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado PG-DSO-8 | ||
Serie ISA | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 29.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.5W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.75mm | ||
Anchura 5 mm | ||
Longitud 6.2mm | ||
Certificaciones y estándares JEDEC, IEC61249‐2‐21 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
Estos transistores de potencia OptiMOS 3 de Infineon, disponibles en configuraciones complementarias de canal N y P, están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia. Estos MOSFET presentan una resistencia de encendido (RDS(on)) muy baja, lo que minimiza las pérdidas de conducción y mejora el rendimiento general del sistema. Además, ofrecen una resistencia térmica superior, lo que garantiza una mejor disipación térmica y fiabilidad en aplicaciones exigentes. Estas características los hacen ideales para diversos diseños de gestión de potencia y eficiencia energética.
100 % a prueba de avalancha
Revestimiento sin Pb y conforme a RoHS
Sin halógenos según IEC61249‑2‑21
Links relacionados
- MOSFET, Doble N-Canal Infineon ISA170170N04LMDSXTMA1, VDSS 40 V, ID 9.6 A, Mejora, PG-DSO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS -30 V, ID -14.9 A, Mejora, PG-DSO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS -30 V, ID 14.9 A, Mejora, PG-DSO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon BSO301SPHXUMA1, VDSS -30 V, ID 14.9 A, Mejora, PG-DSO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon BSO080P03SHXUMA1, VDSS -30 V, ID -14.9 A, Mejora, PG-DSO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N, Tipo P-Canal Infineon ISA150233C03LMDSXTMA, VDSS 30 V, ID 10.2 A, Mejora, PG-DSO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N, Tipo P-Canal Infineon ISA250300C04LMDSXTMA1, VDSS 40 V, ID 7.9 A, Mejora, PG-DSO-8 de 8 pines
- Infineon No Controlador resonante, PG-DSO-8 8 pines