MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS -30 V, ID -14.9 A, Mejora, PG-DSO-8 de 8 pines

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Código RS:
273-5242
Referência do fabricante:
BSO080P03SHXUMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

-14.9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

-30V

Serie

BSO080P03S H OptiMOSTM-P

Encapsulado

PG-DSO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

2.5W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

-0.82V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

-102nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS

Altura

1.5mm

Anchura

40 mm

Longitud

40mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de Infineon es un MOSFET de potencia de canal P. Estos productos cumplen constantemente las más altas exigencias de calidad y rendimiento en las especificaciones clave para el diseño de sistemas de alimentación, como la resistencia de estado y las características de mérito. Tiene una temperatura de funcionamiento de 150 grados centígrados y está calificado según JEDEC para aplicaciones de destino.

Nivel lógico

Sin halógenos

Conformidad con RoHS

Chapado sin plomo

Modo de mejora

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